型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK201610-99￥7.8360100-499￥7.4442500-999￥7.18301000-1999￥7.16992000-4999￥7.11775000-7499￥7.05247500-9999￥7.0002≥10000￥6.9740 -
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品类: MOS管描述: N沟道 VDS=30V VGS=±16V ID=120A P=263W57815-49￥12.729650-199￥12.1856200-499￥11.8810500-999￥11.80481000-2499￥11.72862500-4999￥11.64165000-7499￥11.5872≥7500￥11.5328 -
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品类: MOS管描述: Mosfet n-Ch 1kV 750mA To26386975-49￥21.188750-199￥20.2832200-499￥19.7761500-999￥19.64941000-2499￥19.52262500-4999￥19.37775000-7499￥19.2872≥7500￥19.1966 -
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品类: MOS管描述: D2PAK N-CH 55V 90A705120-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: D2PAK N-CH 20V 36A143020-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK71401-9￥56.034610-99￥52.8195100-249￥50.4311250-499￥50.0637500-999￥49.69631000-2499￥49.28292500-4999￥48.9155≥5000￥48.6858 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R950C6ATMA1, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装7274 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S2H5ATMA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装572410-99￥9.4080100-499￥8.9376500-999￥8.62401000-1999￥8.60832000-4999￥8.54565000-7499￥8.46727500-9999￥8.4045≥10000￥8.3731 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P04P4L06ATMA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装3204 -
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品类: MOS管描述: 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3499710-99￥10.1640100-499￥9.6558500-999￥9.31701000-1999￥9.30012000-4999￥9.23235000-7499￥9.14767500-9999￥9.0798≥10000￥9.0460 -
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品类: MOS管描述: N-CH 55V 77A936610-99￥11.8440100-499￥11.2518500-999￥10.85701000-1999￥10.83732000-4999￥10.75835000-7499￥10.65967500-9999￥10.5806≥10000￥10.5412 -
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品类: MOS管描述: N-CH 80V 80A36415-49￥20.510150-199￥19.6336200-499￥19.1428500-999￥19.02011000-2499￥18.89732500-4999￥18.75715000-7499￥18.6695≥7500￥18.5818 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPB80N08S2L07ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0063 ohm, 4.5 V, 1.6 V82785-49￥20.790950-199￥19.9024200-499￥19.4048500-999￥19.28051000-2499￥19.15612500-4999￥19.01395000-7499￥18.9251≥7500￥18.8362 -
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品类: MOS管描述: N沟道 80V 9.3A555710-49￥1.039550-99￥0.9856100-299￥0.9471300-499￥0.9240500-999￥0.90091000-2499￥0.87782500-4999￥0.8432≥5000￥0.8355 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。9819
